申請(qǐng)（專利）號(hào)：CN200810009691.6申請(qǐng)日：2008.02.20
公開(kāi)（公告）號(hào)：CN101276821公開(kāi)（公告）日：2008.10.01
主分類號(hào)：H01L27/144(2006.01)I范疇分類：
分類號(hào)：H01L27/144(2006.01)I；H01L21/84(2006.01)I；G01J1/42(2006.01)I
優(yōu)先權(quán)：2007.3.29 JP 2007-089224
申請(qǐng)（專利權(quán)）人：沖電氣工業(yè)株式會(huì)社
地址：日本東京
國(guó)省代碼：日本；JP
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：三浦規(guī)之；千葉正
國(guó)際申請(qǐng)：
國(guó)際公布：
進(jìn)入國(guó)家日期：
專利代理機(jī)構(gòu)：北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
代理人：黃綸偉
分案申請(qǐng)?zhí)枺?br /> 頒證日：






摘要：
本發(fā)明提供一種可以將UV-A波和UV-B波這兩個(gè)波長(zhǎng)區(qū)域的紫外線量分離檢測(cè)的紫外線感光元件。作為解決手段，該紫外線感光元件具有：形成于絕緣層上的厚度大于等于3nm且小于等于36nm的硅半導(dǎo)體層；形成于該硅半導(dǎo)體層上的橫向PN接合形式的第1光電二極管和第2光電二極管；形成于硅半導(dǎo)體層上的層間絕緣膜；形成于第1光電二極管上的層間絕緣膜上，由使UV-B波以上的波長(zhǎng)區(qū)域的光透射的氮化硅構(gòu)成的第1濾光層；以及形成于第2光電二極管上的層間絕緣膜上，由使UV-A波以上的波長(zhǎng)區(qū)域的光透射的氮化硅構(gòu)成的第2濾光層。
主權(quán)項(xiàng)：
一種紫外線感光元件，其特征在于，該紫外線感光元件具有：形成于絕緣層上的厚度大于等于3nm且小于等于36nm的硅半導(dǎo)體層；形成于該硅半導(dǎo)體層上的橫向PN接合形式的第1光電二極管和第2光電二極管；形成于所述硅半導(dǎo)體層上的層間絕緣膜；形成于所述第1光電二極管上的所述層間絕緣膜上，由使UV-B波以上的波長(zhǎng)區(qū)域的光透射的氮化硅構(gòu)成的第1濾光層；以及形成于所述第2光電二極管上的所述層間絕緣膜上，由使UV-A波以上的波長(zhǎng)區(qū)域的光透射的氮化硅構(gòu)成的第2濾光層。http://www.dgzhenghang.cn